フォトリソグラフィ(1)

光や電子線等を利用して、平面基盤にパターンを
転写する技術
→主にUVを利用してパターンを転写する技術

●基盤洗浄
 新しいウェハ、またはほかの工程(酸化、拡散、
CVDなど)を経たウェハ表面のごみを除去する

●脱水ベーク
 洗浄により付着した水を除去する
 ポジ型レジストの場合は脱水ベークの次に
疎水化処理(HDMS処理)が必要

●酸化膜形成
 基板(p型半導体)内にn型領域を形成する工程の
ために酸化膜を酸を含んだ雰囲気中で形成する

●レジスト塗布
 酸化膜の上にマスクのパターンを焼き付けるために
有機溶剤で溶かしたレジスト(感光材料)を塗布する
 通常は、スピンコータを使ってウェハにレジストを
滴下した後にウェハを高速回転し、均一のレジスト膜
を形成する

マスク→ガラスまたはフィルムでできた転写する
    パターンの原板

●プリベーク
 レジストと酸化膜を密着させるためにレジストに
含まれている有機溶剤を蒸発させる

●露光
 レジストに紫外線を照射してマスクのパターンを
転写する

●露光後ベーク(PEB)
 化学増幅レジストの感光反応を安定させるため
 従来型レジストの場合、定在波効果を低減するために
行うことがある

●現像とリンス
 露光したものを現像し、純粋でリンス(洗浄)する
・ネガ型 
  露光により感光した部分がパターンになる
・ポジ型
  露光により感光していない部分がパターンになる

●ポストベーク
 次のエッチング工程のためにレジストと酸化膜を
密着させ耐性を向上させる

●エッチング
 レジストに覆われていない酸化膜を除去する
・ウェットエッチング方式
  基盤をエッチング液につける
・ドライエッチング方式
  エッチングガス中に基盤を置きイオンなどを
 利用する

2019/06/08~17

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